《比較應(yīng)用技術(shù)和方法》課程詳情
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參加人員：
設(shè)計、研發(fā)、工藝、產(chǎn)品、質(zhì)量、Yield及分析等工程技術(shù)人員,生產(chǎn)主管與經(jīng)理，企業(yè)各級管理人員，六西格瑪黑帶大師人選
一概述
1． 為什么要學(xué)習(xí)比較分析
2． 什么是比較分析
3． 比較分析的流程圖
二假設(shè)檢驗
1．假設(shè)檢驗問題
2．假設(shè)檢驗的基本步驟
3．P-值另一個判斷準則
三單個正態(tài)均值 μ 的 u 檢驗 (s 已知)
1．單個正態(tài)均值 μ 的假設(shè)檢驗 (s 已知)
2．單個正態(tài)均值 μ 的假設(shè)檢驗 (s 已知)實例分析
3．課堂練習(xí)一 ——三極管的放大倍數(shù)是否 降低檢驗
四單個正態(tài)均值 μ 的 t 檢驗 (s 未知)
1．單個正態(tài)均值 μ 的假設(shè)檢驗 (s 未知)
2．單個正態(tài)均值 μ 的假設(shè)檢驗 (s 未知)實例分析
3．課堂練習(xí)二 ——硅片用化學(xué)品的儲存期限檢驗
4．應(yīng)用Minitab進行實例分析的操作步驟與評判標準
五單個正態(tài)方差s 2的 c2 檢驗
1．單個正態(tài)方差 s 2的假設(shè)檢驗
2．單個正態(tài)方差 s 2的假設(shè)檢驗實例分析
3．課堂練習(xí)三 ——等離子體刻蝕器的合格性檢驗
六兩個正態(tài)總體均值 μ 的 u 檢驗(s已知)
原假設(shè)、備擇假設(shè)、檢驗統(tǒng)計量、拒絕域
七兩個正態(tài)總體均值 μ 的 t 檢驗(s 1 = s 2 ，s未知)
1． 原假設(shè)、備擇假設(shè)、檢驗統(tǒng)計量、拒絕域
2． 兩個正態(tài)總體均值 μ 的檢驗(s1 = s2 ，s 未知)實例分析
3． 課堂練習(xí)四 ——兩臺光刻機工藝的線寬均值有無顯著差異
4． 應(yīng)用Minitab進行實例分析的操作步驟與評判標準
八兩個正態(tài)總體均值 μ 的 t 檢驗(s 1 1 s 2，s 未知)
原假設(shè)、備擇假設(shè)、檢驗統(tǒng)計量、拒絕域
九兩個正態(tài)方差比較的 F 檢驗
1．兩個正態(tài)方差 s2的假設(shè)檢驗
2．兩個正態(tài)方差 s2的假設(shè)檢驗實例分析
3．課堂練習(xí)五 —— Fab3 LIS05光刻機上線檢驗
4．應(yīng)用Minitab進行實例分析的操作步驟與評判標準
十成對數(shù)據(jù)比較
1． 成對數(shù)據(jù)的假設(shè)檢驗
2． 成對數(shù)據(jù)的假設(shè)檢驗實例分析
3． 成對數(shù)據(jù)的假設(shè)檢驗二種方法的比較與分析
4． 課堂練習(xí)六 ——設(shè)備做保養(yǎng)前后有無顯著改善檢驗
5． 應(yīng)用Minitab進行實例分析的操作步驟與評判標準
十一多組數(shù)據(jù)比較
1． 多組數(shù)據(jù)的假設(shè)檢驗實例分析
2． 課堂練習(xí)七 ——多臺設(shè)備的工藝比較有無顯著異常檢驗
3． 應(yīng)用Minitab進行實例分析的操作步驟與評判標準
十二練習(xí)
1． 確定C2F4流率對刻蝕硅片的均勻性是否有影響檢驗
2． 兩臺用來充裝的機器凈容量均值檢驗
3． 等離子體刻蝕器的合格性試驗
4． 制鞋材料壽命長短的檢驗實驗
十三微電子有關(guān)比較最新成果閱讀材料
1． 樣本與置信區(qū)間
2． 獨立性問題探討
3． Box-Cox Transformations問題
4． 非參數(shù)統(tǒng)計方法
5． Graph Minimum Difference Detectable Delta for Various Sample Size
《比較應(yīng)用技術(shù)和方法》課程目的
為了檢定某總體的特性利用樣本數(shù)據(jù)的假設(shè)檢驗
對某總體設(shè)定的假設(shè)檢驗的判定步驟
多個總體設(shè)定的假設(shè)檢驗的判定步驟
使用Minitab 來進行比較分析，得出結(jié)果變得方便容易
《比較應(yīng)用技術(shù)和方法》所屬分類
研發(fā)項目
《比較應(yīng)用技術(shù)和方法》授課培訓(xùn)師簡介
《比較應(yīng)用技術(shù)和方法》報名服務(wù)流程
020-29042042
